Sistema de ensaio C-V para dispositivos semicondutores de 10 Hz-1 MHz

A medição de capacitância-voltagem (C-V) é amplamente utilizada para caracterizar parâmetros de semicondutores, particularmente em capacitores MOS (MOS CAPs) e estruturas MOSFET.A capacitância de uma estrutura de metal-óxido-semicondutor (MOS) é uma função da tensão aplicadaA curva que representa a variação da capacitância com a tensão é chamada de curva C-V (ou características C-V).

·Espessura da camada de óxido (dox)

·Concentração de dopagem no substrato (Nn)

·Densidade de carga móvel no óxido (Q1)

·Densidade fixa de carga de óxido (Qfc).

Características do produto

▪Ampla faixa de frequências: 10 Hz1 MHz com pontos de frequência ajustáveis continuamente.

▪Alta precisão e ampla gama dinâmica: 0 V ∼ 3500 V com uma precisão de 0,1%.

▪Teste de CV integrado: o software de teste de CV automatizado integrado suporta múltiplas funções, incluindo C-V (capacitância-voltagem), C-T (capacitância-tempo) e C-F (capacitância-frequência).

▪IV Compatibilidade de ensaio: mede simultaneamente as características de avaria e o comportamento da corrente de fuga.

▪Planejamento de curvas em tempo real: uma interface de software intuitiva visualiza dados de teste e curvas para monitoramento em tempo real.

▪Alta escalabilidade: o projeto do sistema modular permite uma configuração flexível com base nas necessidades de teste.

Parâmetros do produto

Aplicações

▪Nanomateriais: Resistividade, Mobilidade do Portador, Concentração do Portador, Voltagem de Hall

▪Materiais flexíveis:Teste de tração/torção/dobragem, tempo de tensão (V-t), tempo de corrente (I-t), tempo de resistência (R-t), resistência, sensibilidade, capacidade de junção.

▪Dispositivos discretos:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (Input/Output/Reverse).

▪Fotodetectores: Corrente escura (ID), Capacidade de junção (Ct), Voltagem de ruptura reversa (VBR), Responsividade (R).

▪Células solares de perovskita:Tensão de circuito aberto (VOC), Corrente de curto circuito (ISC), Potência máxima (Pmax), Tensão de potência máxima (Vmax), Corrente de potência máxima (Imax), Fator de enchimento (FF), Eficiência (η),Resistência de série (Rs), Resistência de desvio (Rsh), Capacidade de junção.

▪LEDs/OLEDs/QLED: Voltagem para a frente (VF), corrente limite (Ith), tensão inversa (VR), corrente inversa (IR), capacidade de junção.